+86-755-82561458
Mosfet NVBG160N120SC1

Mosfet NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1 е 1,2kV 19,5A N-CH SICFET едноканален N-канален MOSFET.

Описание

Описание на продуктите

NVBG160N120SC1 е 1,2kV 19,5A N-CH SICFET едноканален N-канален MOSFET.

 

Характеристика
 

NVBG160N120SC101

NVBG160N120SC1 е високоефективен и надежден единичен N-канален Mosfet с усъвършенствана технология, която го прави идеален за използване в автомобилни зарядни устройства. Този мощен транзистор е предназначен за приложения с високо напрежение и висока мощност, с максимално номинално напрежение от 1,2 kV.

 

Една от най-впечатляващите характеристики на този Mosfet транзистор е неговият ултра нисък заряд на затвора. Това означава, че може да се включва и изключва бързо, което води до подобрена ефективност на системата и намалена консумация на енергия. В допълнение, неговият нисък ефективен изходен капацитет води до по-висока топлинна производителност и повишена стабилност, гарантирайки, че вашата система работи гладко и надеждно.

 

NVBG160N120SC1 също е тестван на 100% лавина, което означава, че е напълно способен да се справи с високоенергийни преходни процеси без повреда. Това гарантира, че вашата система може да издържи на тежки условия, без да претърпи щети или влошаване на производителността.

 

   

1700 V 160 mQ SiC M0SFET
Превъзходен индекс цена-производителност
Превъзходен индекс цена-производителност
Параметри

 

Метод на опаковане Напрежение на източника на утечка Работна температура
ДО-263-7 1.2kV -55 градуса до 175 градуса

 


Пин конфигурация

product-346-359

 

 

 

Популярни тагове: mosfet nvbg160n120sc1, Китай mosfet nvbg160n120sc1 доставчици, производители

Свържете се с доставчика